Intel公布三大全新封装技术:未来CPU就长这样

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Intel去年提出了全新的六大战略支柱,其中封装(Package)也处于怪怪的要的有一另俩个 位置。多数人平常更因为更在意xxnm工艺,对于封装知之甚少因为不太在意。

事实上,随着半导体工艺的日益僵化 ,传统单芯片封装因为渐渐不合时宜,性能、功耗、成本这麼不成比例,尤其是对于高性能芯片来说。

AMD刚发布的第三代锐龙以及即将发布的第二代霄龙,要是 你你這個变化的有一另俩个 典型代表,都用了chiplet小芯片设计,将那我有一另俩个 单独的大芯片拆分开来,不同模块做成不同的小芯片,再整合到同时。

Intel也陆续推出了EMIB 2.5D、Foveros 3D封装技术,前者的代表是去年集成了Vega GPU核心的Kaby Lake-G,后者则会在今年底有Lakefiled,融合10nm、22nm。

昨日,Intel又敲定了三项全新的封装技术Co-EMIB、ODI、MDIO,基本原则时会 使用最优工艺制作不同IP模块,但会 借助不同的封装措施、高速度低延迟的通信渠道,整合在一块芯片上,构成有一另俩个 异构计算平台。

在现场,Intel还追到了几颗概念性的样品,不能看出在一块基板上时会 多达9个裸片(Die),且大小、功能各异,整合措施要是 一样。

Co-EMIB简单说是EMIB、Foveros的综合体,不能将多个3D Foveros芯片互连在同时,制造更大的芯片。

Intel介绍的有一另俩个 示例就中含俩个Foveros堆栈,每有一另俩个 时会 俩个小的计算芯片,通过TSV硅通孔与基底裸片相连,同时每个Foveros堆栈通过Co-EMIB连接有一另俩个 相邻的堆栈,HBM显存和收发器也是通过Co-EMIB组织在同时。

ODI更注重互连技术,其全程要是 “Omni-Directional Interconnect”,Omni-Path正是Intel用在数据中心里的你你這個高效互连措施。

一如其名字中Directional(方向性)所代表的,ODI既不能水平互连,不不能垂直互连,但会 通孔更大,所以速度高于传统TSV,电阻和延迟则更低,此外电流还不能直接从封装基底供给到裸片。

它所还要的垂直通孔通道数量也少于传统TSV,但会 不能减小裸片面积,可容纳更多晶体管和更高性能。

MDIO意思是Multi-Die IO,也要是 多裸片输入输出,是AIB(高级互连总线)的进化版,为EMIB提供有一另俩个 标准化的SiP PHY级接口,可互连多个chiplet。

针脚速度从2Gbps提高到5.4Gbps,IO电压从0.9V降低至0.5V,但会 号称比台积电最近敲定的LIPNCON高级的多。

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